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Subject Area物理化学
用于制造碳化硅的方法; 用于制造碳化硅的方法; 用于制造碳化硅的方法; 用于制造碳化硅的方法
D马; L古; X鲍; W沈
Application NumberCN200980128538.8
Patent NumberCN200980128538.8
Application Date2009-05-18
2011-06-15
Patent Agent王伦伟 ; 林毅斌
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所 ; 英国石油有限公司
Subtype发明(PCT)
Keyword物理化学
Certificate Number带填写
PCT Attributes
Country中国
Department大连化物所
Contribution Rank1
用于制造碳化硅的方法; 用于制造碳化硅的方法; 用于制造碳化硅的方法; 用于制造碳化硅的方法
Date Available2011-06-15 ; 2011-07-11
description.patentprioritydata2008.05.21 CN PCT/CN2008/00097.9
description.pctapplicationdata2009-05-18 PCT/CN2009/000530
description.pctpublicationdata2009-11-26 WO2009/140856 EN
Status公开
Funding Organization大连化物所
Abstract制造多孔碳化硅的方法,包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合,并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物,其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。; 带填写
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/106831
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
D马,L古,X鲍,等. 用于制造碳化硅的方法, 用于制造碳化硅的方法, 用于制造碳化硅的方法, 用于制造碳化硅的方法. CN200980128538.8[P]. 2011-06-15.
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