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Subject Area物理化学
一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法; 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法; 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法; 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法
张世刚; 刘中民; 许 磊; 刘红超
Application NumberCN200810013447.7
Patent NumberCN200810013447.7
Application Date2008-09-27
2010-03-31
Patent Agent马驰 ; 周秀梅
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
Keyword物理化学
Certificate Number带填写
PCT Attributes
Country中国
Department大连化物所
Contribution Rank1
一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法; 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法; 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法; 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法
Date Available2010-03-31 ; 2011-07-11
description.patentprioritydata待填写
description.pctapplicationdata待填写
description.pctpublicationdata待填写
Status实审
Funding Organization大连化物所
Abstract本发明属于无机多孔材料合成技术领域,具体涉及一种制备介孔壳层结构的中空球形氧化硅材料的制备方法。具体是在乙醇和水的混合溶剂中,在氨水的催化作用下,以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵作为介孔模板剂,使得无机硅材料在聚苯乙烯球表面自组装成具有介孔结构的均匀球,高温下脱去表面活性剂和聚苯乙烯球,得到一种亚微米到微米、尺寸均匀、具有介孔壳层的中空氧化硅球。所得到的中空氧化硅球比表面积为800-2000m2/g,孔径为1.8-3.5nm,孔容为0.5-0.8mL/g。; 带填写
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/107335
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
张世刚,刘中民,许 磊,等. 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法, 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法, 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法, 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法. CN200810013447.7[P]. 2010-03-31.
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