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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法;  一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法
发明人: 张世刚 ;  刘中民 ;  许 磊 ;  刘红超
申请受理号: CN200810013447.7
专利授权号: CN200810013447.7
申请日期: 2008-09-27
授权日期: 2010-03-31
代理机构: 马驰 ;  周秀梅
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
关键词: 物理化学
专利证书号: 带填写
是否PCT专利: 
授予国别: 中国
部门归属: 大连化物所
产权排名: 1
专利名称: 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法;  一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法
公开日期: 2010-03-31 ;  2011-07-11
优先权数据: 待填写
PCT申请数据: 待填写
PCT公布数据: 待填写
状态: 实审
资助者: 大连化物所
摘要: 本发明属于无机多孔材料合成技术领域,具体涉及一种制备介孔壳层结构的中空球形氧化硅材料的制备方法。具体是在乙醇和水的混合溶剂中,在氨水的催化作用下,以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵作为介孔模板剂,使得无机硅材料在聚苯乙烯球表面自组装成具有介孔结构的均匀球,高温下脱去表面活性剂和聚苯乙烯球,得到一种亚微米到微米、尺寸均匀、具有介孔壳层的中空氧化硅球。所得到的中空氧化硅球比表面积为800-2000m2/g,孔径为1.8-3.5nm,孔容为0.5-0.8mL/g。
英文摘要: 带填写
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/107335
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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张世刚,刘中民,许 磊,等. 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法, 一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法. CN200810013447.7. 2010.
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