DICP OpenIR
学科主题物理化学
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜
李 灿; 任 通; 于 睿
申请受理号CN200510130766.2
专利授权号CN200510130766.2
申请日期2005-12-28
2007-07-11
代理机构周长兴
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
关键词物理化学
专利证书号带填写
是否PCT专利
授予国别中国
部门归属大连化物所
产权排名1
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜
公开日期2007-07-11 ; 2011-07-11
优先权数据待填写
PCT申请数据待填写
PCT公布数据待填写
状态授权
资助者大连化物所
英文摘要一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。; 带填写
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/108513
专题中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李 灿,任 通,于 睿. 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜, 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜, 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜, 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜. CN200510130766.2[P]. 2007-07-11.
条目包含的文件
条目无相关文件。
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[李 灿]的文章
[任 通]的文章
[于 睿]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[李 灿]的文章
[任 通]的文章
[于 睿]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[李 灿]的文章
[任 通]的文章
[于 睿]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。