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Subject Area物理化学
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜
李 灿; 任 通; 于 睿
Application NumberCN200510130766.2
Patent NumberCN200510130766.2
Application Date2005-12-28
2007-07-11
Patent Agent周长兴
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
Keyword物理化学
Certificate Number带填写
PCT Attributes
Country中国
Department大连化物所
Contribution Rank1
一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜; 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜
Date Available2007-07-11 ; 2011-07-11
description.patentprioritydata待填写
description.pctapplicationdata待填写
description.pctpublicationdata待填写
Status授权
Funding Organization大连化物所
Abstract一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。; 带填写
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/108513
Collection中国科学院大连化学物理研究所
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GB/T 7714
李 灿,任 通,于 睿. 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜, 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜, 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜, 一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜. CN200510130766.2[P]. 2007-07-11.
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