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Subject Area物理化学
一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法; 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法; 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法; 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法
刘子玉; 刘中民; 魏迎旭; 齐 越; 许 磊
Application NumberCN200510136598.8
Patent NumberCN200510136598.8
Application Date2005-12-30
2007-07-04
Patent Agent周长兴
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
Keyword物理化学
Certificate Number带填写
PCT Attributes
Country中国
Department大连化物所
Contribution Rank1
一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法; 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法; 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法; 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法
Date Available2007-07-04 ; 2011-07-11
description.patentprioritydata待填写
description.pctapplicationdata待填写
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Status授权
Funding Organization大连化物所
Abstract本发明涉及一种高水热稳定性的、孔径均匀的、以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法,其特征在于首先水热合成微孔分子筛前驱体,再将前驱体与模板剂以及NaOH混合并回流,然后利用无机酸调节溶解物的pH 值,在一定条件下晶化一段时间,可以得到高水热稳定性的中孔材料,粒度为20-500纳米。经550℃焙烧后,该材料的比表面积为300~1500m2/g、孔容为0.1~1.5cm3/g,孔径为2~10nm。经过100℃沸水处理312小时后,此材料仍然保持着90%以上的比表面积和孔容。; 带填写
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/108519
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
刘子玉,刘中民,魏迎旭,等. 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法, 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法, 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法, 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法. CN200510136598.8[P]. 2007-07-04.
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