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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法;  一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法
发明人: 刘子玉 ;  刘中民 ;  魏迎旭 ;  齐 越 ;  许 磊
申请受理号: CN200510136598.8
专利授权号: CN200510136598.8
申请日期: 2005-12-30
授权日期: 2007-07-04
代理机构: 周长兴
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
关键词: 物理化学
专利证书号: 带填写
是否PCT专利: 
授予国别: 中国
部门归属: 大连化物所
产权排名: 1
专利名称: 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法;  一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法
公开日期: 2007-07-04 ;  2011-07-11
优先权数据: 待填写
PCT申请数据: 待填写
PCT公布数据: 待填写
状态: 授权
资助者: 大连化物所
摘要: 本发明涉及一种高水热稳定性的、孔径均匀的、以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法,其特征在于首先水热合成微孔分子筛前驱体,再将前驱体与模板剂以及NaOH混合并回流,然后利用无机酸调节溶解物的pH 值,在一定条件下晶化一段时间,可以得到高水热稳定性的中孔材料,粒度为20-500纳米。经550℃焙烧后,该材料的比表面积为300~1500m2/g、孔容为0.1~1.5cm3/g,孔径为2~10nm。经过100℃沸水处理312小时后,此材料仍然保持着90%以上的比表面积和孔容。
英文摘要: 带填写
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/108519
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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刘子玉,刘中民,魏迎旭,等. 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法, 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法. CN200510136598.8. 2007.
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