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学科主题物理化学
一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法; 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法; 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法; 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法
程谟杰; 柳林; 刘宪春; 包信和
申请受理号CN200310115620.1
专利授权号CN200310115620.1
申请日期2003-11-10
2005-05-18
代理机构周长兴
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
关键词物理化学
专利证书号带填写
是否PCT专利
授予国别中国
部门归属大连化物所
产权排名1
一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法; 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法; 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法; 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法
公开日期2005-05-18 ; 2011-07-11
优先权数据待填写
PCT申请数据待填写
PCT公布数据待填写
状态视撤
资助者大连化物所
英文摘要本发明涉及一种后补铝合成高硅MWW结构分子筛的方法,首先通过对合成得到的MWW结构的硼硅分子筛在强酸条件下脱硼得到全硅MWW结构分子筛,然后对MWW结构的全硅分子筛进行后处理开层并且在开层的同时进行补铝得到任意高硅铝比的MWW结构分子筛。本合成方法突破了原有的直接合成的方法合成所能得到MCM-22分子筛的硅铝比范围较窄(Si/Al为10-15)的限制,可以得到超出原有合成方法限制的任意高硅铝比的高硅MWW分子筛。与其它合成高硅MWW分子筛的体系相比,本合成方法体系简单,合成的高硅MWW分子筛的硅铝比可以调节。; 带填写
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/109311
专题中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
程谟杰,柳林,刘宪春,等. 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法, 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法, 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法, 一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法. CN200310115620.1[P]. 2005-05-18.
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