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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法;  一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法
发明人: 徐恒泳 ;  唐春华 ;  孙剑 ;  董恩宁 ;  侯守福
申请受理号: CN201110200460.5
专利授权号: CN201110200460.5
申请日期: 2011-07-18
授权日期: 2011
代理机构: 马驰
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
关键词: 物理化学
专利证书号: 待填写
是否PCT专利: 待填写
授予国别: 中文
部门归属: 大连化物所
产权排名: 1
专利名称: 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法;  一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法
公开日期: 2012-01-25
状态: 实审
资助者: 中国科学院大连化学物理研究所;辽宁石油化工大学
摘要: 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器,对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理,其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大,提纯处理的超纯氢气(H2纯度>99.9999%)返回还原炉,用于三氯氢硅还原的原料气,而第二组氢气纯化器相对较小,提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999%)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99%。当循环氢气中氯化氢含量较高时,需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅,可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量,具有明显的节能减排效应。
英文摘要: 待填写
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/116274
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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徐恒泳,唐春华,孙剑,等. 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法, 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法. CN201110200460.5. 2011.
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