DICP OpenIR
Subject Area物理化学
半导体光电材料的时间分辨发光光谱研究
王秀丽
2011-01-19
Thesis Advisor李灿
Degree Discipline物理化学
Degree Grantor中国科学院研究生院
Subtype博士
Abstract半导体材料的太阳能利用过程,是人类从根本上解决能源与环境问题的最为理想和有效的途径之一。对半导体材料进行有效的表征,对认识太阳能转化过程及其机理,提高太阳能利用效率具有重要意义。本论文利用发光光谱研究了几种代表性半导体材料的缺陷性质和载流子动力学,取得如下主要结果: 使用光致发光光谱在弱激发条件下对TiO2 系列样品进行了研究。可见发光由施主—受主对发光引起,氧缺陷和表面羟基分别是主要的施主和受主能级。近红外发光源于束缚态电子与自由空穴复合发光。混相TiO2 的两相界面存在金红石向锐钛矿的载流子转移过程,载流子分离效率提高,自由载流子寿命增长。 研究了具有不同可见发光特性的ZnS 样品的性质。ZnS 的蓝色发光带归属为未经处理ZnS 样品的表面态发光;绿色发光带归属为光生载流子在硫空位和间隙硫原子之间的复合发光;橙色发光带是间隙锌原子捕获的光生电子与锌空位捕获的光生空穴之间的复合发光。使用十二胺为溶剂,利用溶剂热方法合成了三角形纳米晶、CdS 纳米棒和多臂CdS 纳米棒。CdS 纳米棒和多臂纳米棒呈现出不同的缺陷发光,705nm、620nm 和820nm 缺陷发光分别归属为高浓度硫空位、低浓度硫空位和镉缺陷发光。
Language中文
Document Type学位论文
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/116479
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
王秀丽. 半导体光电材料的时间分辨发光光谱研究[D]. 中国科学院研究生院,2011.
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