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一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法; 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法; 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法; 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法
吴立冬; 卢宪波; 苏凡; 陈吉平
申请受理号CN
专利授权号CN201110393374.0
代理机构中国科学院大连化学物理研究所
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别专利
关键词物理化学
专利证书号CN201110393374.0
是否PCT专利实审
授予国别待填写
部门归属带填写
项目归属大连化物所
一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法; 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法; 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法; 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法
公开日期2011-11-30
优先权数据中国科学院大连化学物理研究所;辽宁石油化工大学
状态发明
资助者本发明提供了一种多级孔道的二氧化硅纳米材料及其制备方法。其特征是该材料为近球形形貌,直径在50-250nm之间,比表面积在500-1000m2/g之间;材料具有两种不同的孔道:一种为蠕虫状或近六方结构的介孔主孔道,孔径在2-3nm之间,另一种为位于材料球体中心或均匀分散在球体内的囊泡形孔道,孔径在5-50nm之间,两种孔道相互连通。该材料的制备采用“两步法”,首先在传统的溶胶-凝胶过程中添加适量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP),得到二氧化硅胶体颗粒,再利用伪晶转化技术得到多级孔道材料,制备条件温和,工艺简单可控。
英文摘要物理化学; 带填写
语种2013-6-5
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/118656
专题中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
吴立冬,卢宪波,苏凡,等. 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法, 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法, 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法, 一种多级孔道二氧化硅纳米材料及其制备方法. CN201110393374.0.
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