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Subject Area马驰
硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用
张华民; 曲超; 张凤祥; 刘波; 史丁秦; 王晓丽
Application NumberCN
Patent NumberCN201110186931.1
Patent Agent中国科学院大连化学物理研究所 ; 大连融科储能技术发展有限公司
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所 ; 大连融科储能技术发展有限公司
Certificate NumberCN201110186931.1
PCT Attributes实审
Country待填写
Department带填写
Funding Project大连化物所
硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用
Date Available2011-07-05
Status发明
Funding Organization本发明提供一种硅烷胍基复合阴离子膜及其制备方法和应用,该类膜由具有重复单元的无序体型硅烷胍类聚合物制备而成,由于含有大量的易传导阴离子的胍基团,同时硅烷的保水能力也提高了膜的离子传导能力,使膜具有电导率高的特点;硅烷胍与其他非传导离子介质复合后,具有优良的膜尺寸稳定性和机械强度,提高了膜的化学和机械稳定性。
Abstract带填写
Language2013-1-9
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/118921
Collection中国科学院大连化学物理研究所
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GB/T 7714
张华民,曲超,张凤祥,等. 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用, 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用, 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用, 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用. CN201110186931.1.
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