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硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用
张华民; 曲超; 张凤祥; 刘波; 史丁秦; 王晓丽
申请受理号CN
专利授权号CN201110186931.1
代理机构中国科学院大连化学物理研究所 ; 大连融科储能技术发展有限公司
专利权人中国科学院大连化学物理研究所 ; 大连融科储能技术发展有限公司
专利证书号CN201110186931.1
是否PCT专利实审
授予国别待填写
部门归属带填写
项目归属大连化物所
硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用; 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用
公开日期2011-07-05
状态发明
资助者本发明提供一种硅烷胍基复合阴离子膜及其制备方法和应用,该类膜由具有重复单元的无序体型硅烷胍类聚合物制备而成,由于含有大量的易传导阴离子的胍基团,同时硅烷的保水能力也提高了膜的离子传导能力,使膜具有电导率高的特点;硅烷胍与其他非传导离子介质复合后,具有优良的膜尺寸稳定性和机械强度,提高了膜的化学和机械稳定性。
英文摘要带填写
语种2013-1-9
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/118921
专题中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张华民,曲超,张凤祥,等. 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用, 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用, 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用, 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用. CN201110186931.1.
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