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学科主题: 马驰
专利名称: 一种硫电极及其制备和应用;  一种硫电极及其制备和应用
发明人: 陈剑 ;  庄鑫 ;  廖文明
申请受理号: CN
专利授权号: CN201110216862.4
代理机构: 中国科学院大连化学物理研究所
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利证书号: CN201110216862.4
是否PCT专利: 实审
授予国别: 待填写
部门归属: 带填写
项目归属: 大连化物所
专利名称: 一种硫电极及其制备和应用;  一种硫电极及其制备和应用
公开日期: 2011-07-28
状态: 发明
资助者: 一种硫电极及其制备和应用,所述硫电极包括硫/碳复合材料、导电剂和粘结剂,其中硫是电极活性物质。电极中硫/碳复合材料的质量含量为10~95%;硫/碳复合材料中硫与多孔碳材料的质量比为1∶0.05~19;硫/碳复合材料中的多孔碳材料的电导率大于或等于0.1S/cm,比表面积大于或等于500m2/g,孔体积大于或等于0.3cm3/g,孔结构包括微孔和介孔。多孔碳材料采用酸改性的方法进行处理,其中酸的质量分数为1~50%。采用该发明方法制备的硫电极,具有高比能量、循环稳定性优异,且电极材料价廉易得,制备方法简单易行的优点。所述硫电极可作为正极应用于二次电池中。
英文摘要: 带填写
语种: 2013-1-30
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/118933
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陈剑,庄鑫,廖文明. 一种硫电极及其制备和应用, 一种硫电极及其制备和应用. CN201110216862.4.
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