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专利名称: 一种磁控溅射装置及其应用;  一种磁控溅射装置及其应用
发明人: 程谟杰 ;  武卫明 ;  涂宝峰 ;  崔大安
申请受理号: CN201210539031.5
专利授权号: CN201210539031.5
申请日期: 2012-12-13
授权日期: 2014
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
部门归属: 大连化物所
专利名称: 一种磁控溅射装置及其应用;  一种磁控溅射装置及其应用
公开日期: 2014-06-18
状态: 实审
摘要: 一种磁控溅射装置及其应用,能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转,轴向转速与基底温度可调可控,且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致,能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜,扩展了磁控溅射方法的使用范围。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120435
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程谟杰,武卫明,涂宝峰,等. 一种磁控溅射装置及其应用, 一种磁控溅射装置及其应用. CN201210539031.5. 2014.
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