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专利名称: 一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管;  一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管
发明人: 王卫国 ;   李海洋
申请受理号: CN201210395973.0
专利授权号: CN201210395973.0
申请日期: 2012-10-17
授权日期: 2014
代理机构: 马驰
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
部门归属: 大连化物所
专利名称: 一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管;  一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管
公开日期: 2014-05-07
状态: 实审
摘要: 本发明为一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管,其特征在于利用表面放电电离产生薄离子片来替代传统离子门,利用脉冲电场将离子引入漂移区,仪器装配简单,易于批量化和微型化。由沿轴线分布的脉冲推斥电极、表面放电离子源、漂移区、栅网、离子接收极等构成;待测物被离子源电离产生的产物离子分别被脉冲推斥电极引入漂移区,在高压电源提供的电场中飞行,最终被离子接收极接收检测。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120574
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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王卫国, 李海洋. 一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管, 一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管. CN201210395973.0. 2014.
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