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专利名称: 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法;  一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法
发明人: 李刚 ;   孙龙 ;   金玉奇
申请受理号: CN201210358823.2
专利授权号: CN201210358823.2
申请日期: 2012-09-24
授权日期: 2014
代理机构: 马驰
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
部门归属: 大连化物所
专利名称: 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法;  一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法
公开日期: 2014-03-26
状态: 实审
摘要: 本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时,为了克服靶中毒、阳极消失等现象,一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法,通过在真空室内增加一等离子体放电区,工件架在随公转盘公转的同时高速自转,工件转过此等离子体放电区时,反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应,从而得到更高化学计量比的化合物薄膜,大大提高了薄膜的沉积速率。与传统的等离子体源辅助沉积技术相比,本发明专利提出的新型等离子体产生技术成本更低,易于放大,可用于大规模工业化生产领域,具有重要的应用前景。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120628
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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李刚, 孙龙, 金玉奇. 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法, 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法. CN201210358823.2. 2014.
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