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专利名称: 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法;  用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
发明人: 李灿 ;   程士敏 ;   应品良 ;   任通 ;   秦炜
申请受理号: CN201210358824.7
专利授权号: CN201210358824.7
申请日期: 2012-09-24
授权日期: 2014
代理机构: 马驰
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
部门归属: 大连化物所
专利名称: 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法;  用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
公开日期: 2014-03-26
状态: 实审
摘要: 本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜,不同于传统的固体基底,液面上所合成的硅薄膜可转移,呈自支撑状态。进一步,本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取,可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜,有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外,所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体,可实现对样品的有效清洗。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120629
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李灿, 程士敏, 应品良,等. 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法, 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法. CN201210358824.7. 2014.
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