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用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
李灿;  程士敏;  应品良;  任通;  秦炜
申请受理号CN201210358824.7
专利授权号CN201210358824.7
申请日期2012-09-24
2014
代理机构马驰
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授予国别CN
部门归属大连化物所
用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
公开日期2014-03-26
状态实审
英文摘要本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜,不同于传统的固体基底,液面上所合成的硅薄膜可转移,呈自支撑状态。进一步,本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取,可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜,有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外,所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体,可实现对样品的有效清洗。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120629
专题中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李灿, 程士敏, 应品良,等. 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法, 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法, 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法, 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法. CN201210358824.7[P]. 2014-01-01.
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