DICP OpenIR
用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
李灿;  程士敏;  应品良;  任通;  秦炜
Application NumberCN201210358824.7
Patent NumberCN201210358824.7
Application Date2012-09-24
2014
Patent Agent马驰
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
PCT Attributes
CountryCN
Department大连化物所
用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法; 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
Date Available2014-03-26
Status实审
Abstract本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜,不同于传统的固体基底,液面上所合成的硅薄膜可转移,呈自支撑状态。进一步,本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取,可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜,有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外,所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体,可实现对样品的有效清洗。
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120629
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
李灿, 程士敏, 应品良,等. 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法, 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法, 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法, 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法. CN201210358824.7[P]. 2014-01-01.
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李灿]'s Articles
[ 程士敏]'s Articles
[ 应品良]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李灿]'s Articles
[ 程士敏]'s Articles
[ 应品良]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李灿]'s Articles
[ 程士敏]'s Articles
[ 应品良]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.