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一种双阀激光溅射反应源; 一种双阀激光溅射反应源; 一种双阀激光溅射反应源; 一种双阀激光溅射反应源
唐紫超; 谢华; 刘志凌; 秦正波; 张世宇
申请受理号CN201310468675.4
专利授权号CN201310468675.4
申请日期2013-10-09
2014
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授予国别CN
部门归属大连化物所
一种双阀激光溅射反应源; 一种双阀激光溅射反应源; 一种双阀激光溅射反应源; 一种双阀激光溅射反应源
公开日期2014-02-05
状态实审
英文摘要一种双阀激光溅射反应源,该装置结构由溅射激光,脉冲阀a,脉冲阀b,样品靶,反应通道以及喷嘴组成。该发明具有很强的通用性,不仅可以产生难熔的金属团簇,而且可以产生半导体甚至绝缘体的团簇。系统结构简单,便于维护和操作。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120697
专题中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
唐紫超,谢华,刘志凌,等. 一种双阀激光溅射反应源, 一种双阀激光溅射反应源, 一种双阀激光溅射反应源, 一种双阀激光溅射反应源. CN201310468675.4[P]. 2014-01-01.
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