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专利名称: 使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备;  使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备
发明人: 李灿 ;  张文华 ;  郑霄家 ;  于东麒 ;  熊锋强
申请受理号: CN201210243209.1
专利授权号: CN201210243209.1
申请日期: 2012-07-13
授权日期: 2014
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
部门归属: 大连化物所
专利名称: 使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备;  使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备
公开日期: 2014-01-29
状态: 实审
摘要: 本发明涉及一种使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备,其包含由纳米金属氧化物半导体材料、表面覆盖的半导体敏化剂薄膜组成的光阳极、可以发生氧化及还原反应的电解质以及对电极组成,光阳极与对电极使用热封膜隔开,中间注入电解质。其中,光阳极与电解质接触的界面处电解质发生氧化反应,对电极与电解质接触的界面处电解质发生还原反应。特点是光阳极采用n型宽带隙半导体材料,使用原子层沉积技术在宽带隙半导体材料表面生长多种n型半导体敏化剂薄膜组成太阳电池的光阳极,大大拓宽光阳极的吸光范围,同时半导体薄膜敏化层使宽带隙半导体与电解质隔开,大幅降低光生载流子在界面的复合,显著提高太阳电池的效率。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120704
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李灿,张文华,郑霄家,等. 使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备, 使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备. CN201210243209.1. 2014.
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