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专利名称: 一种中空的二氧化硅纳米颗粒的制备方法;  一种中空的二氧化硅纳米颗粒的制备方法
发明人: 马小军 ;   谭明乾 ;   爱文
申请受理号: CN201210223140.6
专利授权号: CN201210223140.6
申请日期: 2012-06-29
授权日期: 2014
代理机构: 马驰
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
部门归属: 大连化物所
专利名称: 一种中空的二氧化硅纳米颗粒的制备方法;  一种中空的二氧化硅纳米颗粒的制备方法
公开日期: 2014-01-15
状态: 实审
摘要: 本发明公开了一种在室温条件下制备中空二氧化硅纳米微粒的方法,特征是将硅烷偶联剂加入到水中,然后再加入由环己烷、正辛醇和Triton X-100组成的反相微乳液,搅拌混合均匀后,加入正硅酸乙酯,在氨水的引发下室温反应,经过丙酮沉淀、醇洗和水洗后,一步制得尺寸在30~50纳米,空心直径在2~15纳米的中空二氧化硅荧光纳米微粒。本方法得到的中空二氧化硅纳米微粒制备方法不需要繁琐的固体成形模板、腐蚀性的刻蚀试剂和高能耗的高温煅烧过程,操作简便,粒径均匀,性能稳定,可以作为荧光物质载体,药物载体以及磁性纳米粒子载体使用。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120739
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马小军, 谭明乾, 爱文. 一种中空的二氧化硅纳米颗粒的制备方法, 一种中空的二氧化硅纳米颗粒的制备方法. CN201210223140.6. 2014.
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