中国科学院大连化学物理研究所机构知识库
Advanced  
DICP OpenIR  > 中国科学院大连化学物理研究所  > 专利
专利名称: 一种硫化镉纳米花阵列的制备方法;  一种硫化镉纳米花阵列的制备方法
发明人: 张文华 ;  李灿 ;  杨春燕
申请受理号: CN201210224000.0
专利授权号: CN201210224000.0
申请日期: 2012-06-29
授权日期: 2014
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
部门归属: 大连化物所
专利名称: 一种硫化镉纳米花阵列的制备方法;  一种硫化镉纳米花阵列的制备方法
公开日期: 2014-01-15
状态: 实审
摘要: 本发明涉及一种在透明导电玻璃基底上硫化镉纳米花阵列的制备方法。主要步骤如下:(一)将清洗干净的透明导电玻璃基底置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热,反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出,用去离子水冲洗干净,制得硫化镉纳米棒阵列;(二)将长有硫化镉纳米棒阵列的透明导电玻璃基底进行氧等离子体清洗处理或者用稀酸处理其表面;(三)将透明导电玻璃基底再次置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热,反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出,用去离子水冲洗干净,制得硫化镉纳米花阵列。本发明操作简单可控,有利于直接制备电子器件。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120750
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

Files in This Item:

There are no files associated with this item.


Recommended Citation:
张文华,李灿,杨春燕. 一种硫化镉纳米花阵列的制备方法, 一种硫化镉纳米花阵列的制备方法. CN201210224000.0. 2014.
Service
 Recommend this item
 Sava as my favorate item
 Show this item's statistics
 Export Endnote File
Google Scholar
 Similar articles in Google Scholar
 [张文华]'s Articles
 [李灿]'s Articles
 [杨春燕]'s Articles
CSDL cross search
 Similar articles in CSDL Cross Search
 [张文华]‘s Articles
 [李灿]‘s Articles
 [杨春燕]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace