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一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法; 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法; 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法; 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法
包信和; 李星运; 周永华; 潘秀莲
申请受理号CN201210181890.1
专利授权号CN201210181890.1
申请日期2012-06-04
2014
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授予国别CN
部门归属大连化物所
一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法; 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法; 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法; 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法
公开日期2013-12-18
状态实审
英文摘要本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂,可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层,且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成,该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势,可应用于催化和吸附中。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/120779
专题中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
包信和,李星运,周永华,等. 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法, 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法, 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法, 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法. CN201210181890.1[P]. 2014-01-01.
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