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学科主题: 物理化学
专利名称: 在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法;  在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法;  在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法;  在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法
作者: 高艳安1;  鲁辉1;  冷文光1;  郝丹丹1;  张晋娜1
申请受理号: CN201410076575.1
专利授权号: CN201410076575.1
申请日期: 2014-03-04
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法;  在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法;  在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法;  在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法
公开日期: 2015-09-09
摘要: 本发明公开了一种基于席夫碱反应在α-Al2O3陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法。首先需要用3-氨丙基三乙氧基硅烷对α-Al2O3表面进行化学接枝改性,之后将其与三聚氰胺、对苯二甲醛混合,以二甲基亚砜为溶剂,通氩气保护,经高温反应在α-Al2O3基材表面原位生长SNW薄膜。选用的α-Al2O3陶瓷基材廉价易得;改性过程和后续合成过程简单方便,薄膜生长均匀;克服了微孔聚合物难以加工的障碍,同时高含氮量的SNW薄膜与多孔α-Al2O3陶瓷基材的强-强联合将更有利于提高复合器件的气体吸附、催化等性能。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144638
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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高艳安,鲁辉,冷文光,等. 在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法, 在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法, 在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法, 在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长微孔聚合物SNW薄膜的方法. CN201410076575.1. 2015.
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