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学科主题物理化学
一种片状三氧化钨光电极及其制备方法; 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法; 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法; 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法
李灿; 王楠; 施晶莹; 郑霄家
申请受理号CN201310691028.X
专利授权号CN201310691028.X
申请日期2013-12-13
2015-11-01
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授权日期2015-11-01
授予国别CN
一种片状三氧化钨光电极及其制备方法; 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法; 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法; 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法
公开日期2015-06-17
英文摘要本发明涉及一种多孔WO3片状阵列薄膜的制备,首先利用直流反应磁控溅射方法,以Ar气为溅射气体,O2气为反应气体,采用双金属靶共溅射,其中一个靶为钨靶,另一种为铝、铜、锌中的一种,溅射得到非晶氧化物薄膜。将制备的非晶金属氧化物薄膜浸入强酸性溶液中进行选择性刻蚀,在基片上得到了片状的多孔结构,空气中450-550℃退火,形成单斜晶相WO3,形貌保存完好。该方法得到的多孔氧化钨电极的比表面积增加,吸光性能大幅度提高,材料与基底的结合力较好。本发明的优点在于:可以实现大规模生产,制备工艺简单,制备的WO3电极相比于未刻蚀的致密的WO3电极,饱和光电流提高3倍,亦可应用到染料敏化电池,电致变色器件等。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144763
专题中国科学院大连化学物理研究所
作者单位中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李灿,王楠,施晶莹,等. 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法. CN201310691028.X[P]. 2015-11-01.
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