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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法;  一种片状三氧化钨光电极及其制备方法;  一种片状三氧化钨光电极及其制备方法;  一种片状三氧化钨光电极及其制备方法
作者: 李灿1;  王楠1;  施晶莹1;  郑霄家1
申请受理号: CN201310691028.X
专利授权号: CN201310691028.X
申请日期: 2013-12-13
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法;  一种片状三氧化钨光电极及其制备方法;  一种片状三氧化钨光电极及其制备方法;  一种片状三氧化钨光电极及其制备方法
公开日期: 2015-06-17
摘要: 本发明涉及一种多孔WO3片状阵列薄膜的制备,首先利用直流反应磁控溅射方法,以Ar气为溅射气体,O2气为反应气体,采用双金属靶共溅射,其中一个靶为钨靶,另一种为铝、铜、锌中的一种,溅射得到非晶氧化物薄膜。将制备的非晶金属氧化物薄膜浸入强酸性溶液中进行选择性刻蚀,在基片上得到了片状的多孔结构,空气中450-550℃退火,形成单斜晶相WO3,形貌保存完好。该方法得到的多孔氧化钨电极的比表面积增加,吸光性能大幅度提高,材料与基底的结合力较好。本发明的优点在于:可以实现大规模生产,制备工艺简单,制备的WO3电极相比于未刻蚀的致密的WO3电极,饱和光电流提高3倍,亦可应用到染料敏化电池,电致变色器件等。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144763
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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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李灿,王楠,施晶莹,等. 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法, 一种片状三氧化钨光电极及其制备方法. CN201310691028.X. 2015.
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