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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法;  一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法;  一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法;  一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法
作者: 高艳安1;  鲁辉1;  冷文光1;  郝丹丹1;  张晋娜1
申请受理号: CN201310694053.3
专利授权号: CN201310694053.3
申请日期: 2013-12-16
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法;  一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法;  一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法;  一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法
公开日期: 2015-06-17
摘要: 本发明公开了一种在α-Al2O3陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法:先后以3-氨丙基三乙氧基硅烷和4-醛基苯硼酸对α-Al2O3陶瓷表面进行化学接枝改性,然后采用微波合成技术在其表面原位生长共价有机框架薄膜COF-5。本发明所述的制备方法简单易行、可设计性强、廉价易得、可选择基材范围广、适用于生长不同类型的共价有机框架薄膜。在气体分离纯化、化学反应催化、光电薄膜器件等领域有广泛的应用前景。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144775
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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高艳安,鲁辉,冷文光,等. 一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法, 一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法, 一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法, 一种在α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷表面生长共价有机框架薄膜的方法. CN201310694053.3. 2015.
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