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学科主题物理化学
一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法; 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法; 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法; 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法
李灿; 刘桂继; 施晶莹; 章福祥; 丁春梅; 陈政
申请受理号CN201310693176.5
专利授权号CN201310693176.5
申请日期2013-12-13
2015-11-01
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授权日期2015-11-01
授予国别CN
一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法; 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法; 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法; 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法
公开日期2015-06-17
英文摘要本发明提供了一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法。通过在窄禁带半导体光阳极表面修饰空穴储存层的方法,抑制在半导体光阳极表面发生的光致自氧化腐蚀反应引起的性能衰减,促使光阳极光电催化放氧反应的稳定进行。利用本发明提供的方法,能够使窄禁带半导体光阳极的活性工作寿命由数分钟提升至数小时以上,这为实现太阳能分解水制氢技术的工业应用提供了一条崭新的途径。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144778
专题中国科学院大连化学物理研究所
作者单位中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李灿,刘桂继,施晶莹,等. 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法, 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法, 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法, 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法. CN201310693176.5[P]. 2015-11-01.
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