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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法;  一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法;  一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法;  一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法
作者: 李灿1;  刘桂继1;  施晶莹1;  章福祥1;  丁春梅1;  陈政1
申请受理号: CN201310693176.5
专利授权号: CN201310693176.5
申请日期: 2013-12-13
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法;  一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法;  一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法;  一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法
公开日期: 2015-06-17
摘要: 本发明提供了一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法。通过在窄禁带半导体光阳极表面修饰空穴储存层的方法,抑制在半导体光阳极表面发生的光致自氧化腐蚀反应引起的性能衰减,促使光阳极光电催化放氧反应的稳定进行。利用本发明提供的方法,能够使窄禁带半导体光阳极的活性工作寿命由数分钟提升至数小时以上,这为实现太阳能分解水制氢技术的工业应用提供了一条崭新的途径。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144778
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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李灿,刘桂继,施晶莹,等. 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法, 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法, 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法, 一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法. CN201310693176.5. 2015.
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