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Subject Area物理化学
一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法
李海洋; 梁茜茜; 王新; 周庆华; 陈创; 王祯鑫; 温萌
Application NumberCN201310691090.9
Patent NumberCN201310691090.9
Application Date2013-12-13
2015-11-01
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
PCT Attributes
Copyright Date2015-11-01
CountryCN
一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法; 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法
Date Available2015-06-17
Abstract本发明涉及采用便携式的离子迁移谱灵敏评估以爆炸物分子为模板的分子印迹材料的新方法。本发明以TNT爆炸物分子印迹材料为例,属于离子迁移谱检测技术领域,采用负离子模式,镍源电离源或紫外灯电离源,论述了配有热解析进样器,建立了离子迁移谱分析分子印迹材料吸附性能的新方法。
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144862
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Affiliation中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
李海洋,梁茜茜,王新,等. 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法, 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法, 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法, 一种用离子迁移谱对分子印迹材料性能评价的新方法. CN201310691090.9[P]. 2015-11-01.
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