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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法;  一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法;  一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法;  一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法
作者: 李刚1;  吕起鹏1;  王锋1;  公发全1;  邓淞文1;  孙龙1;  金玉奇1
申请受理号: CN201310681582.X
专利授权号: CN201310681582.X
申请日期: 2013-12-11
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法;  一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法;  一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法;  一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法
公开日期: 2015-06-17
摘要: 本发明涉及一种反应磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法,通过对传统磁控溅射技术的改进,在真空室内引入一等离子体区域,采用中频脉冲直流或直流溅射溅射Ti金属靶,并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件,在衬底上沉积TiN薄膜。使用本方法可以在低温环境下性能良好的TiN薄膜,薄膜的结晶度、致密性及硬度得到提高,表面粗糙度小,薄膜与衬底有较高的结合力,很难产生局部脱落。本发明可以为硬质薄膜的实验研究或工业生产提供样品。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144877
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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李刚,吕起鹏,王锋,等. 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法. CN201310681582.X. 2015.
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