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学科主题物理化学
一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法
李刚; 吕起鹏; 王锋; 公发全; 邓淞文; 孙龙; 金玉奇
申请受理号CN201310681582.X
专利授权号CN201310681582.X
申请日期2013-12-11
2015-11-01
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授权日期2015-11-01
授予国别CN
一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法
公开日期2015-06-17
英文摘要本发明涉及一种反应磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法,通过对传统磁控溅射技术的改进,在真空室内引入一等离子体区域,采用中频脉冲直流或直流溅射溅射Ti金属靶,并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件,在衬底上沉积TiN薄膜。使用本方法可以在低温环境下性能良好的TiN薄膜,薄膜的结晶度、致密性及硬度得到提高,表面粗糙度小,薄膜与衬底有较高的结合力,很难产生局部脱落。本发明可以为硬质薄膜的实验研究或工业生产提供样品。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144877
专题中国科学院大连化学物理研究所
作者单位中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李刚,吕起鹏,王锋,等. 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法. CN201310681582.X[P]. 2015-11-01.
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