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Subject Area物理化学
一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法
李刚; 吕起鹏; 王锋; 公发全; 邓淞文; 孙龙; 金玉奇
Application NumberCN201310681582.X
Patent NumberCN201310681582.X
Application Date2013-12-11
2015-11-01
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
PCT Attributes
Copyright Date2015-11-01
CountryCN
一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法; 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法
Date Available2015-06-17
Abstract本发明涉及一种反应磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法,通过对传统磁控溅射技术的改进,在真空室内引入一等离子体区域,采用中频脉冲直流或直流溅射溅射Ti金属靶,并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件,在衬底上沉积TiN薄膜。使用本方法可以在低温环境下性能良好的TiN薄膜,薄膜的结晶度、致密性及硬度得到提高,表面粗糙度小,薄膜与衬底有较高的结合力,很难产生局部脱落。本发明可以为硬质薄膜的实验研究或工业生产提供样品。
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144877
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Affiliation中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
李刚,吕起鹏,王锋,等. 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法, 一种磁控溅射低温制备TiN薄膜的方法. CN201310681582.X[P]. 2015-11-01.
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