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学科主题物理化学
一种可控制备单层和少层硫化钼的方法; 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法; 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法; 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法
包信和; 邓浇; 邓德会
申请受理号CN201310676237.7
专利授权号CN201310676237.7
申请日期2013-12-11
2015-11-01
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授权日期2015-11-01
授予国别CN
一种可控制备单层和少层硫化钼的方法; 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法; 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法; 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法
公开日期2015-06-17
英文摘要本发明公开了一种可控制备单层和少层硫化钼的方法。具体地说,该方法是一种基于溶剂热的方法,利用钼基化合物的水溶液与含硫化合物在低温下直接反应生成目标产物。所制备的硫化钼具有规整的二维层状结构,且层数为单层或少层。本方法具有简单,易于操作和控制的特点。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144895
专题中国科学院大连化学物理研究所
作者单位中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
包信和,邓浇,邓德会. 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法, 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法, 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法, 一种可控制备单层和少层硫化钼的方法. CN201310676237.7[P]. 2015-11-01.
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