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学科主题物理化学
一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法; 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法; 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法; 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法
秦建华; 张旭; 马静云
申请受理号CN201310654919.8
专利授权号CN201310654919.8
申请日期2013-12-04
2015-11-01
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授权日期2015-11-01
授予国别CN
一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法; 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法; 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法; 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法
公开日期2015-06-10
英文摘要一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法,利用软光刻方法制备不带有通道结构的固化PDMS(聚二甲基硅氧烷)块,并将其浸泡在PF127溶液中6小时以上,去离子水冲洗后干燥,此时PDMS表面吸附的PF127分子会抑制细胞贴壁。在PF127(Pluronic?F-127)修饰后的PDMS表面进行电纺平行丝操作,在其表面修饰上平行的明胶/PLGA电纺丝,之后该PDMS块置于超净台内紫外灭菌,可用于细胞的1维生长培养。该方法无需昂贵的仪器设备,可实现一次性大面积修饰,具有操作简单、快速,实验成本低廉,环境友好,可与其它等优点。
语种中文
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144956
专题中国科学院大连化学物理研究所
作者单位中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
秦建华,张旭,马静云. 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法, 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法, 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法, 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法. CN201310654919.8[P]. 2015-11-01.
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