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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法;  一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法;  一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法;  一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法
作者: 秦建华1;  张旭1;  马静云1
申请受理号: CN201310654919.8
专利授权号: CN201310654919.8
申请日期: 2013-12-04
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法;  一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法;  一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法;  一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法
公开日期: 2015-06-10
摘要: 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法,利用软光刻方法制备不带有通道结构的固化PDMS(聚二甲基硅氧烷)块,并将其浸泡在PF127溶液中6小时以上,去离子水冲洗后干燥,此时PDMS表面吸附的PF127分子会抑制细胞贴壁。在PF127(Pluronic?F-127)修饰后的PDMS表面进行电纺平行丝操作,在其表面修饰上平行的明胶/PLGA电纺丝,之后该PDMS块置于超净台内紫外灭菌,可用于细胞的1维生长培养。该方法无需昂贵的仪器设备,可实现一次性大面积修饰,具有操作简单、快速,实验成本低廉,环境友好,可与其它等优点。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/144956
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

Recommended Citation:
秦建华,张旭,马静云. 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法, 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法, 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法, 一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法. CN201310654919.8. 2015.
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