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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种用于研究负离子体系的光电子成像装置;  一种用于研究负离子体系的光电子成像装置;  一种用于研究负离子体系的光电子成像装置;  一种用于研究负离子体系的光电子成像装置
作者: 王利1;  刘本康1;  王艳秋1
申请受理号: CN201310539055.5
专利授权号: CN201310539055.5
申请日期: 2013-10-31
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种用于研究负离子体系的光电子成像装置;  一种用于研究负离子体系的光电子成像装置;  一种用于研究负离子体系的光电子成像装置;  一种用于研究负离子体系的光电子成像装置
公开日期: 2015-05-06
摘要: 本发明涉及一种用于研究负离子体系的光电子成像装置。其中,纳秒激光溅射负离子源单元用于产生高强度稳定的负离子束源,在光电子速度聚焦透镜单元区域与飞秒激光相互作用,利用电子成像探测器单元可以清晰的测量负离子体系的激发态电子的能谱与角度分布信息。同时,结合时间分辨技术可以获知上述信息的动力学特性。本发明结合超快时间分辨的光电子成像技术,不仅可以清晰的获取所需要的单一成份的负离子体系,更可以得到该物质键能等微观信息,同时还可以实时的观测激发态的超快动力学信息。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145013
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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王利,刘本康,王艳秋. 一种用于研究负离子体系的光电子成像装置, 一种用于研究负离子体系的光电子成像装置, 一种用于研究负离子体系的光电子成像装置, 一种用于研究负离子体系的光电子成像装置. CN201310539055.5. 2015.
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