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Subject Area物理化学
基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法; 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法; 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法; 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法
冯亮; 杨卫; 关亚风
Application NumberCN201310407887.1
Patent NumberCN201310407887.1
Application Date2013-09-09
2015-11-01
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
PCT Attributes
Copyright Date2015-11-01
CountryCN
基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法; 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法; 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法; 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法
Date Available2015-03-18
Abstract本发明涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料,经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线,并以此作为气敏性材料,组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号(电阻、电压、电流等)的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(VOCs)及氨气、硫化氢等有毒有害环境污染性气体有较好的响应,而且其响应程度(即灵敏度)与待测气体的浓度(或含量)直接相关,可用于气体的在线检测。
Language中文
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145092
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Affiliation中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
冯亮,杨卫,关亚风. 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法, 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法, 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法, 基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法. CN201310407887.1[P]. 2015-11-01.
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