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学科主题: 物理化学
专利名称: 基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法;  基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法;  基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法;  基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法
作者: 冯亮1;  杨卫1;  关亚风1
申请受理号: CN201310407887.1
专利授权号: CN201310407887.1
申请日期: 2013-09-09
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授予国别: CN
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法;  基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法;  基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法;  基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法
公开日期: 2015-03-18
摘要: 本发明涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料,经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线,并以此作为气敏性材料,组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号(电阻、电压、电流等)的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(VOCs)及氨气、硫化氢等有毒有害环境污染性气体有较好的响应,而且其响应程度(即灵敏度)与待测气体的浓度(或含量)直接相关,可用于气体的在线检测。
语种: 中文
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145092
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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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冯亮,杨卫,关亚风. 基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法, 基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法, 基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法, 基于In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法. CN201310407887.1. 2015.
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