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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源;  一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源;  一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源;  一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源
作者: 唐紫超1;  秦正波1;  张世宇1
申请受理号: CN201310291516.1
专利授权号: CN201310291516.1
申请日期: 2013-07-11
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源;  一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源;  一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源;  一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源
公开日期: 2015-01-14
摘要: 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源,该离子源包括腔体、氩进气管、氦进气管、金属靶材和喷口。金属靶材位于靠近飞行时间质谱的一侧,氩进气管和氦进气管在金属靶材的两端,腔体与飞行时间质谱相邻的一侧有1个凸向腔体的喷口。本发明将磁控溅射离子源与飞行时间质谱相结合,测试样品时,氩气经进气管进入腔体后被电离,电离的氩气离子快速的轰击金属靶材表面,产生金属等离子体,金属等离子体由氦气载带,由喷口喷出形成团簇离子,进入高分辨飞行时间质谱,最后探测器探测得到尺寸范围很宽的离子团簇飞行时间质谱图。本发明可适用于各种金属大尺寸团簇离子的成分分析。
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145212
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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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唐紫超,秦正波,张世宇. 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源. CN201310291516.1. 2015.
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