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Subject Area物理化学
一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源; 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源; 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源; 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源
唐紫超; 秦正波; 张世宇
Application NumberCN201310291516.1
Patent NumberCN201310291516.1
Application Date2013-07-11
2015-11-01
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
PCT Attributes
Copyright Date2015-11-01
一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源; 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源; 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源; 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源
Date Available2015-01-14
Abstract一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源,该离子源包括腔体、氩进气管、氦进气管、金属靶材和喷口。金属靶材位于靠近飞行时间质谱的一侧,氩进气管和氦进气管在金属靶材的两端,腔体与飞行时间质谱相邻的一侧有1个凸向腔体的喷口。本发明将磁控溅射离子源与飞行时间质谱相结合,测试样品时,氩气经进气管进入腔体后被电离,电离的氩气离子快速的轰击金属靶材表面,产生金属等离子体,金属等离子体由氦气载带,由喷口喷出形成团簇离子,进入高分辨飞行时间质谱,最后探测器探测得到尺寸范围很宽的离子团簇飞行时间质谱图。本发明可适用于各种金属大尺寸团簇离子的成分分析。
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145212
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Affiliation中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
唐紫超,秦正波,张世宇. 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源, 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源. CN201310291516.1[P]. 2015-11-01.
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