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Subject Area物理化学
一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法
李灿; 熊锋强; 刘臣; 王楠
Application NumberCN201310158980.3
Patent NumberCN201310158980.3
Application Date2013-05-02
2015-11-01
Rights Holder中国科学院大连化学物理研究所
Subtype发明
PCT Attributes
Copyright Date2015-11-01
一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法
Date Available2014-11-05
Abstract本发明公开一种光电极及其制备方法。金属性氮化物基底作为电流收集体,非全氧化物半导体光活性层与其紧密接触,半导体表面无或者有以助催化剂修饰,组成光电化学光电极。首先,制备导电的金属性氮化物基底。其薄膜方块电阻可低到1.8Ω/sq,电阻率0.16mΩ/cm,优于商品化FTO和ITO。其次,沉积或涂覆半导体或者含半导体金属组分的前驱体,于惰性气氛或者半导体非金属组分的氢化物气氛下高温处理。金属性氮化物基底能在惰性或氢化物气氛高温处理(如氨气中至900℃)后保持导电性,适合于高温制备非全氧化物半导体光电极过程,整个光电极制备过程易于工业化。该光电极可能用于光电化学利用太阳能分解水和制氢气、转化二氧化碳等用途。
Document Type专利
Identifierhttp://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145319
Collection中国科学院大连化学物理研究所
Affiliation中国科学院大连化学物理研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
李灿,熊锋强,刘臣,等. 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法, 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法, 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法, 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法. CN201310158980.3[P]. 2015-11-01.
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