DICP OpenIR
学科主题物理化学
一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法
李灿; 熊锋强; 刘臣; 王楠
申请受理号CN201310158980.3
专利授权号CN201310158980.3
申请日期2013-05-02
2015-11-01
专利权人中国科学院大连化学物理研究所
专利类别发明
是否PCT专利
授权日期2015-11-01
一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法; 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法
公开日期2014-11-05
英文摘要本发明公开一种光电极及其制备方法。金属性氮化物基底作为电流收集体,非全氧化物半导体光活性层与其紧密接触,半导体表面无或者有以助催化剂修饰,组成光电化学光电极。首先,制备导电的金属性氮化物基底。其薄膜方块电阻可低到1.8Ω/sq,电阻率0.16mΩ/cm,优于商品化FTO和ITO。其次,沉积或涂覆半导体或者含半导体金属组分的前驱体,于惰性气氛或者半导体非金属组分的氢化物气氛下高温处理。金属性氮化物基底能在惰性或氢化物气氛高温处理(如氨气中至900℃)后保持导电性,适合于高温制备非全氧化物半导体光电极过程,整个光电极制备过程易于工业化。该光电极可能用于光电化学利用太阳能分解水和制氢气、转化二氧化碳等用途。
文献类型专利
条目标识符http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145319
专题中国科学院大连化学物理研究所
作者单位中国科学院大连化学物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李灿,熊锋强,刘臣,等. 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法, 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法, 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法, 一种以金属性氮化物为导电基底的光电极及其制备方法. CN201310158980.3[P]. 2015-11-01.
条目包含的文件
条目无相关文件。
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[李灿]的文章
[熊锋强]的文章
[刘臣]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[李灿]的文章
[熊锋强]的文章
[刘臣]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[李灿]的文章
[熊锋强]的文章
[刘臣]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。