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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法;  一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法;  一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法;  一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法
作者: 李灿1;  秦炜1;  刘生忠1;  王书博1
申请受理号: CN201310121151.8
专利授权号: CN201310121151.8
申请日期: 2013-04-09
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法;  一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法;  一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法;  一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法
公开日期: 2014-10-15
摘要: 本发明公开了一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法,属于硅薄膜的制备技术领域。该方法通过在化学气相沉积过程中使用热丝(HWCVD)等离子体(PECVD),和偏压结合分解反应气体沉积硅薄膜(简称结合方法(P-HWCVD)),通过对极板间距,射频功率,偏压,硅烷和氢气浓度等参数的调节实现对硅薄膜微结构、硅薄膜制备过程以及沉积速率的调控。同时,使用结合方法可以实现比单独使用上述单一一种气体分解方式有更高的气体利用率,比单一使用热丝法在超高速率制备的材料具有更好的质量。在结合方法中制备出的硅薄膜材料与单一使用热丝法制备的材料相比更适合用于太阳电池。
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145363
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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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李灿,秦炜,刘生忠,等. 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法, 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法, 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法, 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法. CN201310121151.8. 2015.
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