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学科主题: 物理化学
专利名称: 一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用;  一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用;  一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用;  一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用
作者: 邓伟侨1;  姜磊1
申请受理号: CN201310099714.8
专利授权号: CN201310099714.8
申请日期: 2013-03-26
授权日期: 2015-11-01
专利权人: 中国科学院大连化学物理研究所
专利类别: 发明
是否PCT专利: 
授权日期: 2015-11-01
专利名称: 一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用;  一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用;  一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用;  一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用
公开日期: 2014-10-01
摘要: 一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用,方法步骤为:按Nb/(Ti+Nb)(摩尔比)1%~20%的掺杂比将五乙氧基铌加入到钛源中,搅拌下加入氢氟酸,持续搅拌得到澄清的铌掺杂氧化钛溶液;将上述得到的溶液放入有聚四氟乙烯内胆的不锈钢反应釜中;将不锈钢反应釜密闭后放入恒温干燥箱中,然后自然冷却至室温,得到白色沉淀;将所得到的白色沉淀物依次用乙醇和去离子水反复清洗,之后放入恒温干燥箱中干燥,取出研磨,最终得到掺杂金属铌二氧化钛纳米片。本发明的制备工艺简单,原料成本低廉,易于提纯。本发明的铌掺杂二氧化钛纳米片制备的染料敏化太阳电池,经测试获得了9.8%的电池效率。
内容类型: 专利
URI标识: http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/145376
Appears in Collections:中国科学院大连化学物理研究所_专利

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作者单位: 1.中国科学院大连化学物理研究所

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邓伟侨,姜磊. 一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用, 一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用, 一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用, 一种掺杂金属铌二氧化钛纳米片及其制备方法和应用. CN201310099714.8. 2015.
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